在香港半导体行业深耕四十余年，如今携技术积淀来到河套，在此打响国产化半导体设备“突围战”的关键一战。这番选择背后，藏着中锃半导体创始人、CEO 谭志明与半导体产业的半生羁绊。

在半导体行业诸多“卡脖子”困局中，设备国产化向来是最难翻越的“一座山”：现阶段，中国半导体设备国产化率仅为20%，核心技术与设备仍高度依赖进口。

2023年，谭志明将破解困局的希望，种在了这片衔接深港、联动全球的土地上。他坚信：“在河套这片创新热土上，定能为中国半导体设备国产化进程按下‘加速键’。”

1982年，谭志明踏入半导体行业。从90年代投身电子元器件工厂起步，他逐步吃透半导体各领域技术，成长为香港半导体业界公认的“行家”。2010年，他带领团队锚定芯片制造的关键环节，正式开启刻蚀技术的攻坚之路。

“在现代半导体芯片制造过程中，光刻与刻蚀是两道同等重要的核心工序。” 谭志明解释道，前者是用光将电路结构转移到硅片上，后者则通过“雕刻”，把这些结构图形转化为实际的电路元件。二者相辅相成，缺一不可，是芯片诞生的基石。

和光刻机一样，刻蚀设备在全球范围内也长期处于寡头垄断格局。即便到 2024年，中国仍有80%的刻蚀设备依赖进口，且单台成本高达数百万美元，既耗费资金，又受限于人。

“随着国内半导体市场持续升温，产业规模和技术水平不断突破，我们越发意识到：核心设备不能被‘卡脖子’，推动刻蚀机国产替代已势在必行。”谭志明说。

他把突破方向锁定在碳化硅这一半导体材料上。相较于传统硅基器件，碳化硅能在更高频率、更宽温度范围内处理高压电流，可显著降低设备损耗、减轻重量并缩小体积。但难题也随之而来：碳化硅硬度极高、物理特性特殊，如何实现它的深刻蚀工艺，成为产业界亟待解决的难题。

凭借在等离子体刻蚀技术领域数十年的深厚积淀，谭志明带领团队深耕碳化硅深槽刻蚀设备与工艺研发。终于在2024年，成功开发出ICP刻蚀系统样品机 ——不仅攻克了碳化硅深刻蚀的技术难题，更实现了该领域国产设备的“弯道超车”。

“样板机既能对接国际一流品牌的效能，还能将成本压缩至国外设备的1/3 左右。”谭志明透露，团队计划今年实现设备大量生产，到2027年，力争达成年量产超一百台的目标。

随着技术逐步成熟，谭志明决定进军内地，开拓更广阔的市场。在先后考察华东、华南多个区域后，2024年4月，他最终选择落户深圳，在河套深港合作区开启事业新篇章。

谭志明坦言，半导体行业创新周期长、前期投入高，靠单一区域或企业的力量难成气候。“而河套一头连接着内地广阔的市场，一头对接着世界资源，对企业长远发展大有裨益。”

“河套融资环境好、资本力量强，对公司持续吸引高端技术人才、加大原型设备和关键工艺研发投入提供了支持。”谭志明说，在进驻河套的当月，中锃半导体就成功获得国科京东方、国核曜能、望众资本等投资方数千万元人民币的天使轮融资，为研发注入“强心剂”。

科研配套完善、要素流动高效，更让企业研发没了后顾之忧。“现在公司仅需三周左右，就能完成一台设备的加工筹备。”谭志明还清楚记得，90年代常从香港到深圳对接业务时，运输、采购、报关流程繁琐，耗时耗力。如今河套打通了深港协同的壁垒，两地往来和资源调配效率已不可同日而语。

不过，谭志明也清醒地看到行业现存的挑战：“材料供应链的不稳定性，尤其是高质量原材料的供应限制，仍是制约产业链完整化的关键。加上部分关键设备零部件进口受阻，迫使企业不得不寻找新的设计方案，或转向使用可靠的国产化零部件替代。”

对谭志明来说，这场半导体“突围战”远未结束。“我希望把自己在香港半导体行业四十余年的经验积累带到河套，转化为本土化研发的动力，用实打实的技术突破，书写半导体国产化的‘破局故事’。”谭志明说。

撰文：张秉仁

海报：栾艺婷

受访者供图