南方+从深圳平湖实验室获悉，该实验室与深圳市鹏进高科技有限公司合作，在国产宽禁带半导体功率器件研发领域取得重大进展，成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题。

据悉，该团队成功构建了8英寸工艺平台，并基于此平台实现了具有自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的流片。其核心发明专利（公开号：CN118610269A）已获得授权。

本次突破的一个关键在于8英寸1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的成功流片，以及其工艺平台展现出的高质量产出水平。仿真结果与实测数据的高度吻合，充分验证了该技术的成熟度与可靠性。

深圳平湖实验室称，这一成果标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。

同时，此项成果彰显了我国在宽禁带半导体产业链核心环节的自主创新能力与产业化实力，有望为我国新能源、高端制造等战略性新兴产业的发展注入强劲动能。

深圳平湖实验室和深圳市鹏进高科技有限公司所在的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）是国际首个开放、共享的8吋SIC和GAN科研与中试平台，助力提速我国在第三代半导体研发与产业化的建设进程。

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撰文：唐孜孜